Wielki sukces Chin na rynku superkomputerów
20 czerwca 2016, 11:13Nowy chiński superkomputer, Sunway TaihuLight, znalazł się na czele najnowszej listy TOP500. Wydajność maszyny w teście Linpack wyniosła 93 petaflopsy, jest więc trzykrotnie większa od dotychczasowego lidera, również chińskiego Tianhe-2. Jednak tym, o czym należy przede wszystkim wspomnieć, jest fakt, że Sunway TaihuLight to w pełni chińska konstrukcja
Źródło dużych grup fotonów – pierwszy fotonowy "scalak"
9 lutego 2017, 11:15Holograficzna pamięć atomowa, wymyślona i skonstruowana przez fizyków z Wydziału Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego, jest pierwszym urządzeniem zdolnym na żądanie generować pojedyncze fotony w grupach liczących po kilkadziesiąt i więcej sztuk.
Kolejny pomysł na RAM przyszłości
22 kwietnia 2010, 11:38Zespół naukowców z Francji, Niemiec i USA opracował nowy sposób na nieulotne przechowywanie danych. Metodę nazwali magnetyczną pamięcią wirową kontrolowaną częstotliwością.
FeRAM bliżej upowszechnienia
21 kwietnia 2009, 15:39Amerykańscy naukowcy dokonali ważnego kroku na drodze do opracowania wydajnych, wytrzymałych, nieulotnych pamięci RAM. Rozpowszechnienie się tanich kości tego typu pozwoliłoby np. na błyskawiczne uruchomienie komputera czy rezygnację z tradycyjnego dysku twardego, gdyż dane przechowywane byłyby w układach pamięci.
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
Elpida wyprodukowała ReRAM
25 stycznia 2012, 09:39Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
Przełączanie grafenu
25 sierpnia 2008, 12:14Niemiecka firma AMO, we współpracy z brytyjskimi naukowcami z University of Manchester, stworzyła grafenowy przełącznik.
Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
Kawa poprawia pamięć
14 stycznia 2014, 11:16Kawa pozwala nam obudzić się lub powtrzymuje przed zaśnięciem. Właśnie dowiedzieliśmy się, że poprawia też pamięć długoterminową. Badacze od dłuższego już czasu podejrzewali, że kofeina wykazuje takie właśnie działanie, jednak przeprowadzone dotychczas badania nie pozwalały jednoznacznie tego potwierdzić
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9 …
